Kaufen STMicroelectronics STS20N3LLH6 MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

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Datenblätter

STS20N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

Artikelnummer

STS20N3LLH6

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

Verlustleistung (max.)

2.7W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1690pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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