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STP12N65M5

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220

Artikelnummer

STP12N65M5

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220AB

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

8.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

430 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

900pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±25V

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