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STP100N8F6
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Artikelnummer
STP100N8F6
Hersteller/Marke
Serie
STripFET™ F6
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220
Verlustleistung (max.)
176W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
5955pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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