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STL20N6F7

MOSFET N-CH 60V 100A

Artikelnummer

STL20N6F7

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ F7

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Gerätepaket des Lieferanten

PowerFlat™ (3.3x3.3)

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 78W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1600pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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