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STH400N4F6-6

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6

Artikelnummer

STH400N4F6-6

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Gerätepaket des Lieferanten

H2PAK-6

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.15 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

404nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

20500pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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