Kaufen STMicroelectronics STH300NH02L-6 MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6

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Datenblätter

STH300NH02L-6

MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6

Artikelnummer

STH300NH02L-6

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Gerätepaket des Lieferanten

H²PAK

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

24V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

109nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

7050pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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