VT6M1T2CR
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Artikelnummer
VT6M1T2CR
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-SMD, Flat Leads
Leistung max
120mW
Gerätepaket des Lieferanten
VMT6
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
7.1pF @ 10V
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