Kaufen Rohm Semiconductor US6J11TR MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

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Datenblätter

US6J11TR

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

Artikelnummer

US6J11TR

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Leistung max

320mW

Gerätepaket des Lieferanten

UMT6

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260 mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

290pF @ 6V

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