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SCT3060ALGC11

MOSFET NCH 650V 39A TO247N

Artikelnummer

SCT3060ALGC11

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247N

Verlustleistung (max.)

165W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

39A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78 mOhm @ 13A, 18V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 6.67mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 18V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

852pF @ 500V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

18V

Vgs (Max)

+22V, -4V

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