Kaufen Rohm Semiconductor SCH2080KEC MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

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SCH2080KEC

MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

Artikelnummer

SCH2080KEC

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247

Verlustleistung (max.)

262W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

117 mOhm @ 10A, 18V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 4.4mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 18V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1850pF @ 800V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

18V

Vgs (Max)

+22V, -6V

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