Kaufen Rohm Semiconductor RZE002P02TL MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3

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Datenblätter

RZE002P02TL

MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3

Artikelnummer

RZE002P02TL

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Not For New Designs

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-75, SOT-416

Gerätepaket des Lieferanten

EMT3

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

115pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±10V

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