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RW1C015UNT2R

MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

Artikelnummer

RW1C015UNT2R

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-563, SOT-666

Gerätepaket des Lieferanten

6-WEMT

Verlustleistung (max.)

400mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

110pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±10V

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