Kaufen Rohm Semiconductor RSD200N10TL MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

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Datenblätter

RSD200N10TL

MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

Artikelnummer

RSD200N10TL

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

CPT3

Verlustleistung (max.)

20W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

48.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2200pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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