RS1P600BETB1
RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH
Artikelnummer
RS1P600BETB1
Hersteller/Marke
Teilestatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-HSOP
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 35W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
17.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2200pF @ 50V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
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