Kaufen Rohm Semiconductor RRS110N03TB1 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

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Datenblätter

RRS110N03TB1

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Artikelnummer

RRS110N03TB1

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SOP

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

11A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.6 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2000pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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