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RRL025P03TR

RRL025P03TR

MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Artikelnummer
RRL025P03TR
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten
TUMT6
Verlustleistung (max.)
320mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
480pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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