Kaufen Rohm Semiconductor RQ7E110AJTCR NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET

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Datenblätter

RQ7E110AJTCR

NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET

Artikelnummer

RQ7E110AJTCR

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SMD, Flat Lead

Gerätepaket des Lieferanten

TSMT8

Verlustleistung (max.)

1.5W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 4.5A, 11V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 10mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2410pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V

Vgs (Max)

±12V

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