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RP1E070XNTCR

MOSFET N-CH 30V 7A MPT6

Artikelnummer

RP1E070XNTCR

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-SMD, Flat Leads

Gerätepaket des Lieferanten

MPT6

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

390pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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