Kaufen Rohm Semiconductor RHP020N06T100 MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

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RHP020N06T100

MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

Artikelnummer

RHP020N06T100

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-243AA

Gerätepaket des Lieferanten

MPT3

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

140pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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