Kaufen Rohm Semiconductor RGT30NS65DGTL IGBT 650V 30A 133W TO-263S

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Datenblätter

RGT30NS65DGTL

IGBT 650V 30A 133W TO-263S

Artikelnummer

RGT30NS65DGTL

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Eingabetyp

Standard

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Leistung max

133W

Gerätepaket des Lieferanten

LPDS (TO-263S)

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

30A

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

650V

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Strom – Kollektor gepulst (Icm)

45A

Energie wechseln

Gate-Gebühr

32nC

Td (ein/aus) bei 25 °C

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 15A, 10 Ohm, 15V

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