Kaufen Rohm Semiconductor RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3

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Datenblätter

RE1C002UNTCL

MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3

Artikelnummer

RE1C002UNTCL

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-89, SOT-490

Gerätepaket des Lieferanten

EMT3F (SOT-416FL)

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 100mA, 2.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

25pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.2V, 2.5V

Vgs (Max)

±8V

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