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RD3T050CNTL1

NCH 200V 5A POWER MOSFET

Artikelnummer

RD3T050CNTL1

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252

Verlustleistung (max.)

29W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

760 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.25V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

330pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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