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RD3L080SNTL1
NCH 60V 8A POWER MOSFET
Artikelnummer
RD3L080SNTL1
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
TO-252
Verlustleistung (max.)
15W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
380pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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