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QS5U17TR

QS5U17TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Artikelnummer
QS5U17TR
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Gerätepaket des Lieferanten
TSMT5
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
175pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
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