Kaufen Rohm Semiconductor QS5U17TR MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

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QS5U17TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

Artikelnummer

QS5U17TR

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Gerätepaket des Lieferanten

TSMT5

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

175pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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