Kaufen Rohm Semiconductor QH8MA4TCR MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

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Datenblätter

QH8MA4TCR

MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

Artikelnummer

QH8MA4TCR

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SMD, Flat Lead

Leistung max

1.5W

Gerätepaket des Lieferanten

TSMT8

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

9A, 8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

640pF @ 15V

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