Kaufen Rohm Semiconductor QH8KA1TCR 30V NCH+NCH POWER MOSFET

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Datenblätter

QH8KA1TCR

30V NCH+NCH POWER MOSFET

Artikelnummer

QH8KA1TCR

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SMD, Flat Lead

Leistung max

2.4W

Gerätepaket des Lieferanten

TSMT8

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

125pf @ 15V

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