Kaufen Rohm Semiconductor IMB10AT110 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

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Datenblätter

IMB10AT110

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Artikelnummer

IMB10AT110

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-74, SOT-457

Leistung max

300mW

Gerätepaket des Lieferanten

SMT6

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

100mA

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

50V

Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom – Kollektorabschaltung (max.)

500nA

DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Häufigkeit – Übergang

250MHz

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand – Emitterbasis (R2)

47 kOhms

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