Kaufen Rohm Semiconductor EMG1T2R TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

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Datenblätter

EMG1T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

Artikelnummer

EMG1T2R

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Cut Tape (CT)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Leistung max

150mW

Gerätepaket des Lieferanten

EMT5

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

100mA

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

50V

Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom – Kollektorabschaltung (max.)

500nA

DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Häufigkeit – Übergang

250MHz

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand – Emitterbasis (R2)

22 kOhms

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