Kaufen Rohm Semiconductor EMD12T2R TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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Datenblätter

EMD12T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Artikelnummer

EMD12T2R

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-563, SOT-666

Leistung max

150mW

Gerätepaket des Lieferanten

EMT6

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

100mA

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

50V

Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom – Kollektorabschaltung (max.)

500nA

DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Häufigkeit – Übergang

250MHz

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand – Emitterbasis (R2)

47 kOhms

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