Kaufen Renesas Electronics America RJM0603JSC-00#12 MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

China
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RJM0603JSC-00#12

MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

Artikelnummer

RJM0603JSC-00#12

Hersteller/Marke

Renesas Electronics America

Serie

Automotive, AEC-Q101

Teilestatus

Active

Verpackung

Tray

Betriebstemperatur

175°C

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad

Leistung max

54W

Gerätepaket des Lieferanten

20-HSOP

FET-Typ

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2600pF @ 10V

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