Kaufen Renesas Electronics America RJL6020DPK-00#T0 MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

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RJL6020DPK-00#T0

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

Artikelnummer

RJL6020DPK-00#T0

Hersteller/Marke

Renesas Electronics America

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-3P-3, SC-65-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-3P

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

30A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4750pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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