Kaufen Renesas Electronics America RJL5012DPE-00#J3 MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK

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RJL5012DPE-00#J3

MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK

Artikelnummer

RJL5012DPE-00#J3

Hersteller/Marke

Renesas Electronics America

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-83

Gerätepaket des Lieferanten

4-LDPAK

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

27.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1050pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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