Kaufen Renesas Electronics America RJK6011DJE-00#Z0 MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92

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RJK6011DJE-00#Z0

MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92

Artikelnummer

RJK6011DJE-00#Z0

Hersteller/Marke

Renesas Electronics America

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Gerätepaket des Lieferanten

TO-92(1)

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52 Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

25pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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