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NP75P03YDG-E1-AY

NP75P03YDG-E1-AY

MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Artikelnummer
NP75P03YDG-E1-AY
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten
8-HSON
Verlustleistung (max.)
1W (Ta), 138W (Tc)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
141nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
4800pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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