Kaufen Renesas Electronics America NP50P06KDG-E1-AY MOSFET P-CH 60V 50A TO-263

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NP50P06KDG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 50A TO-263

Artikelnummer

NP50P06KDG-E1-AY

Hersteller/Marke

Renesas Electronics America

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

TO-263

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta), 90W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5000pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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