Kaufen Renesas Electronics America N0601N-ZK-E1-AY MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

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N0601N-ZK-E1-AY

MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Artikelnummer

N0601N-ZK-E1-AY

Hersteller/Marke

Renesas Electronics America

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

TO-263

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 156W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

133nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

7730pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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