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HS54095TZ-E
MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
Artikelnummer
HS54095TZ-E
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Gerätepaket des Lieferanten
TO-92-3
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
66pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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