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2SK2315TYTR-E
MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
Artikelnummer
2SK2315TYTR-E
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-243AA
Gerätepaket des Lieferanten
UPAK
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
173pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
3V, 4V
Vgs (Max)
±20V
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