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QJD1210010

QJD1210010

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Artikelnummer
QJD1210010
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Bulk
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket/Koffer
Module
Leistung max
1080W
Gerätepaket des Lieferanten
Module
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
10200pF @ 800V
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