FJ6K01010L
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
Artikelnummer
FJ6K01010L
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten
WSMini6-F1-B
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1400pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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