FJ4B01100L1
CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
Artikelnummer
FJ4B01100L1
Hersteller/Marke
Teilestatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
4-XFLGA, CSP
Gerätepaket des Lieferanten
XLGA004-W-0808-RA01
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
74 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
459pF @ 10V
Vgs (Max)
±8V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.5V, 4.5V
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