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NVF3055L108T3G

NVF3055L108T3G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Artikelnummer
NVF3055L108T3G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-223
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
440pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
5V
Vgs (Max)
±15V
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