NVD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Artikelnummer
NVD5865NLT4G
Hersteller/Marke
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
DPAK
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
10A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1400pF @ 25V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
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