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NVD5414NT4G

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Artikelnummer

NVD5414NT4G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

DPAK

Verlustleistung (max.)

55W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

24A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37 mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1200pF @ 25V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

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