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NVD5803NT4G

NVD5803NT4G

MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Artikelnummer
NVD5803NT4G
Hersteller/Marke
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
DPAK
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
3220pF @ 25V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
5V, 10V
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