Kaufen ON Semiconductor NVB60N06T4G MOSFET N-CH 60V D2PAK

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NVB60N06T4G

MOSFET N-CH 60V D2PAK

Artikelnummer

NVB60N06T4G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Last Time Buy

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D2PAK

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 150W (Tj)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

60A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3220pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

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