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NVB5860NT4G
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
Artikelnummer
NVB5860NT4G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
D2PAK-3
Verlustleistung (max.)
283W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
10760pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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