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NVB5405NT4G

MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK

Artikelnummer

NVB5405NT4G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D2PAK

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 150W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

16.5A (Ta), 116A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4000pF @ 32V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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