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Datenblätter

NVATS5A106PLZT4G

MOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK

Artikelnummer

NVATS5A106PLZT4G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

ATPAK

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

33A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1380pF @ 20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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