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NTR5103NT1G

MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23

Artikelnummer

NTR5103NT1G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3 (TO-236)

Verlustleistung (max.)

300mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

260mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 240mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.81nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

40pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±30V

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